技术编号：2780222
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，且更具体地涉及一种用以高精度地实现掩模的微小图案的临界尺寸的多透射掩模及使用该掩模的曝光方法。背景技术 依据半导体器件的高集成度和高密度的需求的增加，针对实现高精度的光刻技术已经得到研究和开发以在晶片上形成更加微小的图案。曝光设备的分辨率R由等式1定义，其中k1为对于工艺的经验常数，λ为曝光光的波长，而NA为在曝光设备中的透镜的数值孔径；R=k1λNA...1]]>如等式1所示，为了实现高分辨率，必须增加在曝光设...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。