技术编号：2785607
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种单晶的生长方法，具体地说是涉及激光自倍频晶体YAl3 (BO3) 4的 助熔剂生长方法。背景技术激光自倍频晶体YAl3 (BO3) 4具有较大的非线性光学系数，适中的双折射率，具有良 好的物理化学性能，不潮解，具有较好的热导性和较小热膨胀各向异性，莫氏硬度为8。由于 YAB为非同成分熔化，所以必须采用助熔剂法生长单晶，普遍采用而且最成熟的是以三钼酸 钾为基础的助熔剂体系。采用钼酸盐作为助熔剂生长的YAl3(BO3)4单晶在300nm以下就开 ...
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