技术编号：2785640
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化学放大型正性抗蚀剂组合物。 背景技术化学放大型正性抗蚀剂组合物用于半导体孩1制造。在半导体^t制造中，尤其是在液浸光刻工艺中，希望抑制缺陷的 形成。众所周知，液浸光刻工艺中的一个大问题是抗蚀剂膜上的残余液滴引起的缺陷(例如C. V. Peski等在2005年9月的第二届国际浸没式 光刻研讨会上的才艮告"Film pulling and meniscus instability as a cause of residual fluid dro...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。