修正光学近距效应的图形分割方法技术资料下载

技术编号:2785727

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本发明涉及半导体制造,特别涉及一种在光刻制版工艺中用于。背景技术 随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能,半导体芯片朝向更高的组件密度、高集成度方向发展。在半导体器件的制造过程中,通常是根据电路原理图设计电路版图,再根据版图设计掩膜图形,然后利用光刻工艺将掩膜上的图形转移到半导体衬底上。器件的版图设计规则定义组件与内连接线及其线宽间的间距容差,以确保组件或导线彼此之间不会重叠或接触。这种设计规则限制的...
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