技术编号：2786179
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于，更为具体地，涉及利用三维结构制造包括集成电路器件、光电器件、磁器件、光学器件、微型电子机械器件(MEMS)等的半导体器件的方法。背景技术 如现有技术通常公知的，以具有微图形的多层结构制造集成电路器件、光电器件、磁器件、光学器件等。在制造具有其中微图形形成在每一层上的多层结构的这些器件中，一般采用利用光的光刻技术形成微图形。为了通过光刻技术制造多层结构的器件，需要多个掩模(标线片(reticle))和掩模对准工序。即，根据光刻技术，首先，在衬...
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