一种曝光装置的制作方法技术资料下载

技术编号:2786778

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本发明涉及一种曝光装置,用于将掩膜版上需要曝光的图形按照一定的比例投影到硅片上,得到大面积具有一定陡度的线宽和精度的图形。背景技术 在超大规模集成电路光学光刻中,决定微细图形最细线宽的主要因素是光刻设备的光刻工作分辨力,而掩膜版和硅片的同步扫描运动是影响光刻分辨力的关键因素之一。随着大规模集成电路器件集成度的提高,光刻机工作分辨率和产率要求愈来愈高,即要求光刻机承版台和承片台的同步运动精度和步近扫描速度也得愈来愈高。要保证光刻分辨率和产率,就必须提高承版台...
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