技术编号：2788118
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件(Semiconductor Device)的内连线(Interconnection)的制造方法，特别是涉及一种非着陆制作工艺(UnlandedProcess)。在半导体元件的制造工艺中，各导线藉由介层窗/接触窗来连接上下层的导电层。为了增加导线与介层窗/接触窗的对准裕度(Alignment Margin)，常见的方法有着陆制作工艺(Landed Process)与非着陆制作工艺。着陆制作工艺的作法是增加导线中与介层窗/接触窗连接的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。