非着陆制作工艺及光学逼近修正光掩模图形的产生方法技术资料下载

技术编号:2788118

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本发明涉及一种半导体元件(Semiconductor Device)的内连线(Interconnection)的制造方法,特别是涉及一种非着陆制作工艺(UnlandedProcess)。在半导体元件的制造工艺中,各导线藉由介层窗/接触窗来连接上下层的导电层。为了增加导线与介层窗/接触窗的对准裕度(Alignment Margin),常见的方法有着陆制作工艺(Landed Process)与非着陆制作工艺。着陆制作工艺的作法是增加导线中与介层窗/接触窗连接的...
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