技术编号：2789114
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于EUV光刻的反射掩模，该反射掩模包括在基板上的反射多层系。此外，本发明涉及具有这种掩模的EUV光刻设备。背景技术在例如半导体组件的光刻结构化方法中，掩模的结构通过EUV光刻设备投射到要被结构化的对象上。为了该目的，借助于照明系统照明掩模，且借助于投射系统将掩模的结构成像到要被结构化的对象上。使用波长越来越短的光源，使得可在采用光刻方法的半导体组件的制造中产生越来越精细的结构。如果使用在极紫外(EUV)波长范围内的光源，例如在大约5nm和20n...
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