技术编号：2792525
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微纳制造，涉及一种电场诱导微复型方法，尤其是一种在电场诱导光固化胶流变过程中，通过几何限制约束光固化胶的流变行为，实现微米级或是纳米级结构的微复型方法。背景技术传统的光学投影光刻工艺利用光波，透过掩膜板来进行选择性曝光，从而把模板上的图形转移到预先涂覆有光固化胶的基板上，再通过显影液的浸泡，进而得到所需要的图形。光刻工艺是超大规模集成电路中的核心工艺，因此在现阶段的微纳制造得到了最为成熟的发展。但是，随着特征尺寸的不断减小，现有的光学投影光刻技术...
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