技术编号：2793276
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种双层光阻的形成方法及其应用，特别是指一种在一图案化(patterned)的光阻层上形成另一图案化的光阻层的方法及其应用。背景技术 随着罩幕式(mask)内存的记忆单元(memory cell)越来越小，要使用单一的一道光罩与一微影工序，来定义记忆单元中所要被编码布值(codeimplantation)之处也变的更加困难。因此，制程便发展出两道光罩与两道微影工序。图1A为内存单元中的N沟道金属氧化物半导体(NMOS)制作完成时的俯视图；图1B为...
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