技术编号：2793858
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及一种。背景技术半导体器件的形成过程中，通常利用光刻工艺将掩模板上的掩膜图形转移到半导体器件表面的光刻胶层中，再将掩膜图形通过刻蚀工艺转移到半导体器件中，或者以所述光刻胶层为掩膜对半导体器件进行离子注入，最后再将光刻胶层去除。现有技术中，包括请参考图1，提供基底100，所述基底100表面形成有光刻胶层101 ;以所述光刻胶层101为掩膜向所述基底100内注入离子105，所述光刻胶层101中包括离子105 ；·请参考图2，待注入完所述...
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