技术编号：2795056
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及。背景技术一般，已知具有较深的杂质层的半导体装置。例如，CMOS传感器中的像素分离层或者CCD传感器中的阱层是需要形成为至少比光电转换部深的杂质层。通过改变离子的加速电压而进行多次离子注入，使其在深度方向上具有多个浓度峰值，由此形成这些像素分离层或阱层等较深的杂质层。或者，通过在一次离子注入之后、 通过长时间热扩散来使离子在深度方向上扩散，由此形成这些像素分离层或阱层等较深的杂质层。如此，以往通过多次离子注入工序或长时间热扩散工序来形成...
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