技术编号：2795194
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺，尤其涉及一种湿浸式光刻系统。 背景技术湿浸式光刻(immersion lithography)通常包括在半导体晶片上表面(例如，薄膜叠层)涂布光致刻蚀剂涂层、以及之后对该光致刻蚀剂曝光以得到图案。在曝光期间， 可以使用去离子水填满曝光镜头(exposure lens)与光致刻蚀剂表面之间的空间，以增加聚焦景深(cbpth of focus ；D0F)的适用范围。之后，可以进行一个或多个曝光后烘烤和 /或其它工艺，例如使曝光后的光致刻蚀...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。