技术编号：2796364
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及一种曝光方法及曝光采用的掩膜版。背景技术在半导体制造过程中，包括光刻技术。光刻技术就是利用光学系统将掩膜版上的图形精确地投影曝光到涂覆光刻胶层的硅片上，然后硅片上的光刻胶层经过了显影后就得到了图形。图1为现有技术将掩膜版上的图形转移到硅片上的光刻胶层的结构示意图，该结构就是光刻机的结构，如图所示，掩膜版上具有透明区域和不透明区域，这些区域形成了要转移到硅片的光刻胶层表面的图形。将涂覆有光刻胶层的硅片放置到承载台上，在承载台的上...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。