技术编号：2797941
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造工艺，尤其涉及一种用于改善特征线宽均匀性 的方法。背景技术特征线宽(Critical Dimension, CD)均匀性是半导体器件制造工艺中需要考 察的重要指标。随着工艺的不断进步，特征线宽已减小到纳米级别，而特征线 宽均匀性的问题也随之变得越来越突出。通常，在半导体器件制造工艺中，会根据线宽要求事先确定一个显影后特 征线宽目标值ADIt和一个刻蚀后特征线宽目标值AEIt,然后根据前者设定一组 光刻参数，并4丸行光刻和显影工序，以...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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