技术编号：2799288
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于EUV光刻的投射曝光设备中的光学布置。 背景技术微光刻用于制造例如集成电路或者IXD的微结构组件。微光刻工艺(process)在称作投射曝光设备的设备中进行，投射曝光设备具有照明系统和投射物镜。在该情况中，通过投射物镜将通过照明系统照明的掩模(=掩模母版)的像投射在基底(例如硅晶片)上， 基底上被涂敷有光敏层(光刻胶)以及基底被布置在投射物镜的像平面中，以便将该掩模结构传递到基底上的光敏涂层上。在设计用于EUV范围(即例如大约13nm或者大约...
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