技术编号：2803501
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光干涉检测领域，特别是一种基于位相光栅分光的双焦波带片干涉显微检测装置。背景技术从二十世纪七十年代开始，半导体工业界根据摩尔定律在不断地减小集成电路中的图形尺寸，使得计算机中中央处理器(CPU)上的晶体管数量以每两年翻一倍的速度增长。极紫外(EUV)光刻面向15nm节点作为下一代先进光刻技术，为半导体业界开辟了一条速度更快、尺寸更小和价格更加便宜的新路。但是，通过EUV光刻技术的艰难前行，我们可以体会到光刻技术的发展并非光刻机一枝独秀即可，其它环...
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