抗蚀剂剥离用组合物的制作方法技术资料下载

技术编号:2804478

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本发明涉及用于制造半导体集成电路、液晶板的半导体元件电路等的光致抗蚀剂剥离用组合物。特别涉及,从基板上有效地剥离光致抗蚀剂,并抑制对硅基板的腐蚀,或者抑制作为薄膜晶体管构成金属的非晶硅(以下记为“a-Si”)以及多晶硅(以下记为“p-Si”)溶解的光致抗蚀剂剥离用组合物。背景技术 从基板上剥离用于制造半导体集成电路、液晶板的半导体元件电路等的光致抗蚀剂时,使用剥离用组合物。例如,制造半导体元件电路或附带的电极部时,按照如下方式进行。首先,将光致抗蚀剂均匀地...
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