技术编号：2806009
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及双极晶体管，更特别地涉及先进垂直的双极晶体管结构和工艺。双极电路设计的基本目标是降低电路功率消耗而且同时，增加运转的速度。降低功耗的一个办法是利用BIFET(双极和场效应晶体管)电路。因此，理想的是任何双极工艺FET的工艺是相匹配的从而BIFET(bipolarandFET)的片结构能被实现。所以，这些设计的目标必须以经济的晶体管制造工艺来实现。如权利要求所述的本发明打算提供一双极晶体管，该晶体管提供增加运转速度。由本发明所给出的有利点是消除了用...
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