技术编号：2807831
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造工艺中的清洗剂，具体涉及一种光刻胶清洗剂。背景技术在通常的半导体制造工艺中，首先在二氧化硅、Cu (铜)等金属以及低 k材料等表面上形成光刻胶的涂层，利用适当的掩模进行曝光、显影，根据 所用光刻胶的特性，除去曝光或者未曝光部分的光刻胶，在所要求的部位形 成光刻胶图案，然后在该光刻胶图案上进行等离子刻蚀或反应性气体刻蚀， 进行图形转移。低温快速的清洗工艺是半导体晶片制造工艺发展的重要方 向。20拜以上厚度的负性光刻胶正逐渐应用于半导体...
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