技术编号：2808294
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造，尤其涉及集成电路制造中的光刻套准。 背景技术M0S管为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor )的简称，具有双扩散自对准结构的M0S管称为DMOS 管。DMOS管具有漏端击穿电压高，导通电阻小及电流驱动能力高的特点，具有良 好的开关性能。因此DMOS管常应用于大电流与高电压场合，而大电流与高电压 的要求又限制了在制作晶片时，必须采用较厚的铝...
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