技术编号：2808823
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种形成凸块的方法，特别是有关一种利用两次光掩膜工序以避免 在晶片的无效芯片区域上形成凸块的方法。背景技术在半导体微影工序中，对准曝光机(Maskaligner)可以进行整个晶片的对准及 曝光。因为是全片幅，只要再制作光掩膜时，所有无效芯片遮蔽即可。但是，对准 曝光机的性能例如光致抗蚀剂轮廓、对准误差及高缺陷率是其缺点。然而，步进式 对准曝光机(st印per aligner)在制作光掩膜时，无法设计到将所有无效芯片遮蔽， 所以在进行后续的电镀金凸...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。