技术编号：2810781
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及集成电路制造，特别是涉及半导体器件的精细构图 方法。背景技术在现有技术的集成电路制造中，利用光刻法的从顶部向下构图 (patterning)技术已被广泛使用。在该从顶部向下构图的方法中，先使 光致抗蚀剂构成图案，再利用它对下面的目标层构图。但是随着集成电 路尺度减小到纳米量级，从顶部向下构图的光刻法由于光致抗蚀剂材料 特性而受到限制。例如，线分辨率和线边缘粗糙度受到光致抗蚀剂材料的聚合物分子 的大尺寸的限制。此外，细高形的的光致抗蚀剂结构也易...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。