技术编号：2811360
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及光学临近修正的测试方法及光掩模版制造方法。 背景技术随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的 资料存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展；而半导体芯片的集成度 越高，半导体器件的临界尺寸(Critical Dimension, CD)越小。在90nm工艺条件下，超大 规模集成电路应用的CD已经进入到几十到几百纳米的范围。 光学临近修正(Optical Proximity C...
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