技术编号：2811783
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种抗蚀图案用抗蚀剂组合物，该抗蚀图案形成于采用液 浸曝光技术的半导体器件生产工艺中，上述技术是通过将晶片和曝光器件 的物镜之间充满介质(液体)而进行的，该介质具有高于1 (空气折射率)的折射率n，同时可以提供更高的分辨率。本发明还涉及一种采用抗蚀剂 组合物生产半导体器件的方法。背景技术随着半导体集成电路的封装密度逐渐增加，最小图案的尺寸被微型到 100nm或更小。例如，为了形成精细图案，抗蚀膜在具有薄膜的工件衬底 的表面上形成，然后进行选择性曝...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。