技术编号：2811926
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体制造领域中去除晶圓表面的光刻胶领域，特另lj涉及 。背景技术在半导体制造技术中，需要多次重复去除晶圆表面的光刻胶这一步骤，因此清洁、高效地去胶工艺十分重要。硫酸(H2S04)和双氧水(H202)的 混合物可以用来去除未经注入或小剂量注入离子的光刻胶。同样，灰化流程 在去胶过程中特经常被使用。在灰化流程中，晶圆衬底被加热，同时晶圓衬 底的掩模上的光刻胶暴露在氧等离子体或臭氧中反应，消除光刻胶。然而， 在去除大剂量离子注入的光刻胶时，目前的采...
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