技术编号：2813346
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种储存电容结构及其形成方法，尤指应用于平面显示器的主矩阵中的储存电容结构及其形成方法。而由于储存电容15的电容值会影响画面品质好坏，例如，当电容值太小时画面容易产生闪烁(flicker)及串音(cross-talk)等现象，因此，如何维持足够的电容值为设计时的必要考量。再请参见附图说明图1(b)，常见薄膜晶体管液晶显示器面板的部份构造示意图，图中基板20左半部为一薄膜晶体管构造21的剖面示意图，而右半部则为一电容构造22的剖面示意图，其主要由一...
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