技术编号：2813391
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基于Abbe (阿贝)矢量成像模型的光源-掩模混合优化方法，属于光刻分辨率增强。背景技术当前的大規模集成电路普遍采用光刻系统进行制造。光刻系统主要包括照明系统(包括光源和聚光镜)、掩模、投影系统及晶片四部分。光源发出的光线经过聚光镜聚焦后入射至掩模，掩模的开ロ部分透光；经过掩模后，光线经由投影系统入射至涂有光刻胶的晶片上，这样掩模图形就复制在晶片上。目前主流的光刻系统是193nm的ArF深度紫外光刻系统，随着光刻技术节点进 入45nm-22n...
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