技术编号：28158929
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体处理设备技术领域，特别涉及一种气体遮挡环、等离子体处理装置及调控聚合物分布的方法。背景技术.随着芯片制造成本的增加以及其行业的迅速发展，晶圆的有效利用面积显得尤为重要。.研究发现，在等离子体刻蚀腔体(真空反应腔)中，等离子体、化学反应气体以及温度分布不均匀等情况会导致整个晶圆在刻蚀过程中出现不均匀性，而无法有效利用整个晶圆。这种不均匀性主要是真空反应腔的腔体内的气体路径是沿着晶圆或所述基片边缘方向，这会造成晶圆中心(center)与边缘(edge)区域存在等离子体和聚合...
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