技术编号:28159522
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别涉及一种带外延层的半导体器件及其制作方法。背景技术.在目前激烈的市场竞争中,客户想要尽可能使用较小的设计规则来提高产品的竞争力,这就对于使用传统的杂质掺杂隔离技术的工艺提出了更高的要求,例如隔离规则的缩小将限制外延厚度,而外延厚度的减少将会直接影响产品器件的耐压。在实际的工艺开发过程中,即使将隔离扩散以及外延厚度做到最好的平衡可能依旧无法满足客户对于产品耐压的期望值。且由于外延工艺的整体厚度一致性不佳,导致单片晶圆内的不同区域的耐压值差距较大,无法保证...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。