技术编号:28165391
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及快充控制技术领域,尤其涉及一种基于氮化镓的超级快充。背景技术.氮化镓(gan)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。氮化镓功率器件在开关速度上的突破是氮化镓功率器件与传统硅功率器件相比主要的差异,氮化镓功率器件具有更高的临界击穿电场,所以它不但可以承受从漏极到源极更高的电压,而且导通电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。