技术编号：2816935
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电子组件，尤其是电吸收调制器(EAM)。 背景技术电吸收调制器(EAM)典型的具有包括多量子阱(MQW)或者大量半导体的光吸收区 域。无论在哪种情况下，典型的吸收区域厚度通常在0. 12-0. 28 μ m的范围，MQW装置典型 具有8-15阱。它们通常是波导装置，其中的吸收区域还用作一光波导层。这些典型厚度导 致一相对密封限制模，该模能够在吸收区域获得电场和光场的高度交叠。然而，缺点是调制 器中的模的尺寸通常显著小于单模纤维的。通常使用...
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