技术编号：2817841
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及电子设备的制造。更具体地，本发明涉及光刻方法，其允许利用负性显影(negative tone development)工艺形成精细图形。本发明发现了在半导体设备制造中的特殊用途并允许形成精细图形。背景技术在半导体制造行业，光致抗蚀剂材料被用来将图像转移到沉积在半导体基材上的一个或多个底层，例如金属层、半导体层和介电层，以及基材本身。为了提高半导体设备的集成度并允许形成具有纳米范围尺寸的结构，具有高分辨率能力的光致抗蚀剂和光刻加工工具已经被开发...
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