技术编号：2818485
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻装置的，具体涉及光刻曝光剂量控制装置及其方法。背景技术光刻工艺技术是半导体生产过程中关键的 一个工艺环节，在光刻过程中， 投影到硅片表面的光刻剂量精度成为影响产品是否合格的关键因素之一。目前 光刻生产用到的准分子激光器发射出的脉冲能量波动较大，如不加以控制，曝 光剂量精度达不到生产要求，最终会导致产品成为废品。各光刻机厂家提供了 多种曝光剂量控制方法以保证剂量精度，尽量保证用户使用高曝光剂量精度的产品o一种现有技术的情况(参见刘世元、吴小健于...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。