技术编号：2818510
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作工艺，尤其涉及一种双栅极氧化层制作工艺中光刻胶层的 重做工艺。背景技术在一般的逻辑或模拟器件的制作工艺中，双栅极氧化层(Dual Gate，简称DG)制 作是一道比较重要的工艺，主要影响着器件的开启电压。所述的逻辑或模拟器件一般包括 高压器件和低压器件，由于高压器件和低压器件对开启电压的要求不同，因此，其对应的栅 极氧化层厚度也不同，通常，高压器件的栅极氧化层厚度大于低压器件的栅极氧化层厚度。因此，所述器件的双栅极氧化层制作工艺包括提供...
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