技术编号：2818601
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及一种。 背景技术在半导体器件的制程中，有一个步骤为光刻。光刻的本质就是将电路结构复制到 以后要进行刻蚀步骤及离子注入步骤的晶圆底层薄膜上。电路结构首先以1 4或1 5 的比例将图形形式制作在名为光掩膜的石英基板上，紫外光通过该光掩膜将图形转移到晶 圆的光刻胶层上，进行显影后，用后续的刻蚀步骤将图形成像在晶圆底层薄膜上，或者用后 续的离子注入步骤完成晶圆底层薄膜的图形区域可选择的掺杂。在光刻步骤中，紫外光通过光掩膜将图形转移到晶...
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