技术编号：2818602
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光刻工艺领域，特别涉及一种相移掩模遮光层残留物修复方 法。背景技术通常，在曝光工艺中使用的用于形成光刻图型的曝光掩模是通过在石英衬底上涂 覆铬层或者铝层作为遮光层，然后利用离子束刻蚀遮光层以形成相应的遮光图形而得到。 但随着半导体元件尺寸的不断减小，复杂度越来越高，掩模图案也相应地更加复杂和密集。 掩模上不透光区域之间距离的缩短导致数值孔径的降低，进而导致光在穿透掩模图案时会 发生光绕射现象，从而使掩模的分辨率下降。现有技术中通常采用相移掩...
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