技术编号：2818652
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造领域光刻工艺方法，特别是涉及一种光刻工艺中精 确对准的校正模型。背景技术如图1、图2所示，在现有半导体制造中，多数产品都含有浅槽隔离、多晶硅 栅、接触孔三层结构，这三层间精确对准对保证产品质量、提高产品良率非常重要。所 述三层间精确对准是依靠其光刻工艺中掩膜版上放置的对准标记。在现有含有这种结构 的大多数产品中，放置有多晶硅栅对准浅槽隔离的标记、接触孔对准多晶硅栅的标记， 但是没有放置接触孔对准浅槽隔离标记。现有技术能够直接测出多晶...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。