技术编号：2845215
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种作为真空电子源的利用磁场偏转原理提高场发射效率的新型场发射电子源器件或阵列，即受磁场偏转控制的场发射电子源器件。背景技术通常的场发射器件是利用电子在强电场作用下从表面逸出的现象，而制做成各种仅受阳极(及其栅板)形成的电场控制的真空器件，但已有的场发射(电子源)器件的驱动电压高，制备工艺复杂，且不受磁场控制。发明内容本实用新型的目的是提供一种利用磁场改变电子运动以提高场发射电流效率，降低场发射驱动电压或使器件发射的电子也能受磁场控制的即受磁...
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