技术编号:28483360
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种感测电路与方法,且特别涉及一种运用于多阶型存储器胞的感测电路与方法。背景技术.众所周知,非易失性存储器在断电之后仍旧可以保存其数据内容。一般来说,当非易失性存储器制造完成并出厂后,使用者即可以编程(program)非易失性存储器中的存储器胞,进而将数据记录在非易失性存储器的存储器胞。.为了要提高存储密度(storage density)以及较小的芯片尺寸(chip area),由多阶型存储器胞(multi-level memory cell)所组成的非易失性记忆以已经问世。...
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