技术编号：2849045
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路领域，特别涉及一种用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路。背景技术近年来，随着半导体制造工艺的发展，对元件的集成度和性能要求越来越高，等离子体技术(Plasma Technology)在半导体制造领域中正起着举足轻重的作用。等离子体技术通过使工艺气体激发形成的等离子体被应用在许多半导体工艺中，如沉积工艺(如化学气相沉积)、刻蚀工艺(如干法刻蚀)等。通常来说，等离子体处理腔室包括真空腔室，其内部上下相对设置有上部电极和下部电极，其中下部电...
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