技术编号：2849331
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可有效地使电场集中放出电子从而采用低驱动电压实现高发 射电流密度的。背景技术现有技术中，巳提出多种利用碳纳米管的电子装置。这种技术已在后述 的文献中公开。专利文献1中，公开了一种技术，其是在基板上设置带开孔的膜片，然 后供给催化剂物质使其负载于基板上，由此生长而形成碳纳米管。因此，可以考虑，把带空孔的导体作为栅极层、导体基板作为阴极层、 碳纳米管作为发射极利用，从而能够形成场致发射装置。现有技术中，在利用碳纳米管的场致发射装置中，为了支撑碳纳米管...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。