一种改善等离子体刻蚀工艺的方法技术资料下载

技术编号:2850657

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本发明提供,所述上电极上连接一控温装置,控制所述上电极温度变化,在某一临界温度时,所述上电极的聚合物沉积速率和刻蚀速率相等,本发明所述的方法在刻蚀工艺的开始阶段,将所述上电极温度调节到第一温度,所述第一温度小于所述临界温度,此时中性自由基会在所述上电极表面沉积一层大分子聚合物,然后调节所述上电极温度到第二温度,所述第二温度大于所述临界温度,此时刻蚀反应速率大于所述沉积反应速率,上电极在第一温度条件下形成的大分子聚合物可以保护所述上电极不被等离子体刻蚀掉,从...
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  • 高老师:1.电力电子及应用 2.嵌入式系统应用