技术编号：2854657
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻，具体涉及一种蚀刻等离子体处理室中的衬底的方法，该等离子体处理室至少具有初级等离子体产生区域和通过半阻挡结构与所述初级等离子体产生区域分开的次级等离子体产生区域。所述方法包括从初级等离子体产生区域中的初级原料气体产生初级等离子体。该方法还包括从次级离子体产生区域中的次级原料气体产生次级等离子体，以使从次级等离子体中产生的物质中的至少一些能够迁移至初级等离子体产生区域。所述方法另外包括在用来自次级等离子体的迁...
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