技术编号:28551644
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种自对准功率trench mosfet制作方法及其结构技术领域.本发明涉及功率器件技术领域,尤其涉及到一种自对准功率trench mosfet制作方法及其结构。背景技术.在功率器件的发展过程中,功率mosfet一直扮演着非常重要的地位。从市场份额上看,以年为例,功率mosfet几乎占到整个功率器件市场的%,而功率mosfet之所以发展如此迅速,原因如下:.()频率高:场效应晶体管作为一种多子器件,相比双极型功率器件,其频率有了很大提高,因此不仅在高频应用有了扩大,在缩小整机...
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