技术编号：2855626
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种双阀激光溅射反应源，该装置结构由溅射激光，脉冲阀a，脉冲阀b，样品靶，反应通道以及喷嘴组成。该发明具有很强的通用性，不仅可以产生难熔的金属团簇，而且可以产生半导体甚至绝缘体的团簇。系统结构简单，便于维护和操作。专利说明一种双阀激光溅射反应源[0001]本发明属于质谱分析领域，具体涉及一种双阀激光溅射反应源。背景技术[0002]激光直接气化团簇源的原理是采用脉冲激光气化位于高真空(<10_8Torr)腔体中的固体样品，所产生的等离子体在没有缓冲气体...
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