技术编号:28594323
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及真空薄膜制备技术,特别涉及一种脉冲激光分子束外延装置。背景技术.脉冲激光分子束外延是在传统的分子束外延(molecular beam epitaxy,mbe)和脉冲激光溅射(pulsed laser deposition,pld)基础上发展而来,其将纳秒脉冲的准分子激光和反射高能电子衍射(reflection high energy electron diffraction,rheed)结合在一起,能对薄膜纵向的生长精确控制到单晶胞层(unit cell by unit cell...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。