技术编号:28635234
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及集成电路及半导体装置制造,尤其涉及非易失性存储器单元阵列的结构以及形成非易失性存储器单元阵列的结构的方法。背景技术.非易失性存储器用于各种电子产品例如手机中。一次可编程(one-time-programmable;otp)存储器及多次可编程(multiple-time-programmable;mtp)存储器是非易失性存储器的常见类型。这些类型的非易失性存储器之间的一个主要区别是多次可编程存储器能够被重复编程及擦除,这与仅可被单次编程的一次可编程存储器相反。.可基于鳍式场效应晶...
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