技术编号:28664890
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请案主张年月日申请的美国正式申请案第/,号的优先权及益处,该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。.本公开是关于一种半导体结构。特别是有关于一种具有缩减间距(半间距特征)的半导体结构及其制备方法。背景技术.微影(photolithography)是使用在制造集成电路(ic)产品的基本制程其中之一。在微影系统中,为了解析细微、高密度、高解析度的图案,是需要达到一高解析度。传统上,是最小化在集成电路产品中的特征尺寸与间距(pitches),以使一所...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。