技术编号:28664928
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种增强型algan/gan hemt器件及其制备方法技术领域.本发明涉及一种基于极化掺杂p型栅帽层的增强型algan/gan hemt器件及其制备方法,属于宽禁带半导体晶体管领域。背景技术.氮化镓(gan)材料具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大、热导率高、抗辐照能力强等优异特性,自身的极化特性在algan/gan异质结构中诱导产生高浓度、高迁移率的二维电子气(deg),在电力电子领域受到了广泛关注。但同时由于deg的存在,常规的algan/gan hemt器件工作在耗尽型模...
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